| 新型研磨垫对单晶氧化镓研磨的实验研究 |
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| 引用本文： | 龚凯,周海,黄传锦,韦嘉辉,王晨宇.新型研磨垫对单晶氧化镓研磨的实验研究[J].现代制造工程,2019(5):13-17. |
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| 作者姓名： | 龚凯 周海 黄传锦 韦嘉辉 王晨宇 |
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| 作者单位： | 盐城工学院机械工程学院,盐城224051;江苏大学机械工程学院,镇江212013;盐城工学院机械工程学院,盐城,224051;江苏大学机械工程学院,镇江,212013;江苏吉星新材料有限公司,镇江,212013 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;江苏省产学研前瞻性创新项目;江苏省科技成果转化项目 |
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| 摘 要： | 为抑制氧化镓晶片在研磨过程中的解理现象,通过NAKAMURA的方法,重新设计、研制一种黏弹性固着磨料新型研磨垫对氧化镓晶片进行研磨实验研究,对比分析其与传统铸铁研磨盘对单晶氧化镓研磨的材料去除率和表面质量的影响规律,结果表明:在同一研磨参数下,采用铸铁盘研磨时,晶片材料去除率较高,为358nm/min,研磨后晶片表面粗糙度Ra由初始的269nm降低到117nm,降幅仅为56.5%;而采用新型研磨垫研磨时,其材料去除率虽较低,为263nm/min,但研磨后晶片表面粗糙度Ra却降低至58nm,降幅达到78.4%,晶片表面质量得到明显提高,为后续氧化镓晶片的抛光奠定了良好的基础,因而新型研磨垫更适合对氧化镓进行研磨。同时,也为氧化镓晶片研磨提供了参考依据。
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| 关 键 词： | 研磨垫 单晶氧化镓 研磨 材料去除率 表面质量 |
Experimental research on lapping of single crystal gallium oxide with new type lapping pad |
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| Gong Kai,Zhou Hai,Huang Chuanjin,Wei Jiahui,Wang Chenyu.Experimental research on lapping of single crystal gallium oxide with new type lapping pad[J].Modern Manufacturing Engineering,2019(5):13-17. |
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| Authors: | Gong Kai Zhou Hai Huang Chuanjin Wei Jiahui Wang Chenyu |
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| Affiliation: | (School of Mechanical Engineering,Yancheng Institute of Technology,Yancheng 224051,Jiangsu,China;School of Mechanical Engineering,Jiangsu University,Zhenjiang 212013,Jiangsu,China;Jiangsu Jeshine New Material Co.,Ltd.,Zhenjiang 212013,Jiangsu,China) |
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| Abstract: | Gong Kai;Zhou Hai;Huang Chuanjin;Wei Jiahui;Wang Chenyu(School of Mechanical Engineering,Yancheng Institute of Technology,Yancheng 224051,Jiangsu,China;School of Mechanical Engineering,Jiangsu University,Zhenjiang 212013,Jiangsu,China;Jiangsu Jeshine New Material Co.,Ltd.,Zhenjiang 212013,Jiangsu,China) |
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| Keywords: | lapping pad single crystal gallium oxide lapping material removal rate surface quality |
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