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| 采用常温CVD法淀积形成多层布线层间绝缘膜 | |
| 作者姓名： | 本间哲哉 陈学珍 |
| 摘 要： | 一、前言VLSI必须采用多层布线技术。特别是在逻辑系列器件中，布线层数现已达到4层以上，这就要求布线更加微细、更加可靠。要解决应力迁移和电子迁移的问题。对于应力迁移最大问题是要降低层间绝缘膜生成后的残留应力和由于热循环而产生的热应力。本文介绍在以往难以采用的低温，特别是在常温下也能形成良好的SiO2系绝缘膜的常温CVD法以及在层间绝缘膜上的应用。二、以往的CVD技术以往，层间绝缘膜是采用等离子CVD法、光CVD法等淀积而成。但要得到优质的SiO2膜，衬底温度至少要达到300℃左右。近年来，已在广泛研讨采用有机硅化物… |
| 关 键 词： | VLSI 多层布线 化学汽相沉积 绝缘膜 |
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