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| 基座法拉晶工艺的新动向 | |
| 引用本文： | 夏锦禄.基座法拉晶工艺的新动向[J].上海有色金属,1982(4). |
| 作者姓名： | 夏锦禄 |
| 摘 要： | 1958年W.C.Dash开创了基座法拉晶工艺,并用此法生长了无位错的硅晶体,因而,此法在晶体生长技术领域中引起了有关学者的极大兴趣。美国德克萨斯公司曾采用此法拉制了以Lopex为牌号的无位错、低阻、高寿命的硅单晶,而盛名于硅晶体工业界。至今,已有许多科技工作者利用此法开展对晶体生长机理及其质量的研究,成功地 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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