单片微波GaAs功率FET放大器的设计、制造和性能表征

本文描述了三级和四级单片GaAs功率FET放大器的设计、制造和性能表征。每个放大器芯片的尺寸为1mm×4mm。概述了这些单片放大器的工艺。用一个四级放大器在接近9GHz的频率下,以27dB的增益获得了高达1W的输出功率。所采用的电路布局十分灵活,它允许外接键合引线用作为旁路电感器而使放大器在C波段或S波段工作。用一个改进的四级放大器,在3.5GHz下以28dB的增益得到2W的输出功率,其功率附加效率为36.6%。