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不同原料合成SiC晶须的形貌结构特征和生长机理研究
引用本文:张军战,张颖,蒋明学,刘民生. 不同原料合成SiC晶须的形貌结构特征和生长机理研究[J]. 功能材料, 2012, 43(13): 1782-1785
作者姓名:张军战  张颖  蒋明学  刘民生
作者单位:西安建筑科技大学材料与矿资学院,陕西西安,710055
基金项目:陕西省自然科学基础研究计划资助项目,陕西省重点学科建设专项基金资助项目,西安建筑科技大学人才基金资助项目
摘    要:分别以SiO2微粉和Si3N4为硅源,炭黑为碳源,氧化硼为催化剂,采用碳热还原法在1500℃氩气气氛下合成了SiC晶须。通过透射电镜和扫描电镜对所合成SiC晶须的形貌和晶体结构特征进行了分析。结果表明,采用两种硅源所合成的晶须均为β-SiC单晶,晶须的生长面为(111)面,生长方向为[111]方向。两种硅源所合成的晶须形貌特点存在较大差别,表明其合成SiC晶须的生长机理不同,VLS生长和螺旋位错的延伸生长可以分别用来解释以SiO2微粉为硅源和以Si3N4为硅源合成的晶须在形貌结构特征上的差别。

关 键 词:碳热还原  SiC晶须  形貌结构  生长机理

Microstructure and growth mechanism of SiC whiskers synthesized by using different raw materials
ZHANG Jun-zhan,ZHANG Ying,JIANG Ming-xue,LIU Min-sheng. Microstructure and growth mechanism of SiC whiskers synthesized by using different raw materials[J]. Journal of Functional Materials, 2012, 43(13): 1782-1785
Authors:ZHANG Jun-zhan  ZHANG Ying  JIANG Ming-xue  LIU Min-sheng
Affiliation:(College of Materials and Mineral Resources, Xi’an University of Architecture and Technology,Xi’an 710055,China)
Abstract:
Keywords:carbothermal reduction  SiC whiskers  morphology and crystal structure  growth mechanism
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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