| β-FeSi2/Si异质结的制备及性质研究 |
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| 作者姓名： | 郑旭 张晋敏 熊锡成 张立敏 赵清壮 谢泉 |
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| 作者单位： | 贵州大学理学院新型光电子材料与技术研究所,贵州贵阳,550025 |
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| 基金项目： | 贵州省优秀科技人才省长基金资助项目，贵州省国际合作资助项目，贵州大学引进人才资助项目，贵州省自然科学基金资助项目，科技部国际合作专项资助项目，贵州省科技攻关资助项目(黔科合GY字，贵州省科技创新人才团队建设专项资金资助项目(黔科合人才团队，贵阳市科技局大学生创业资金资助项目 |
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| 摘 要： | 采用直流磁控溅射和真空退火方法制备β-FeSi2/Si异质结,首先在n型Si(100)衬底上沉积Fe膜,经真空退火形成β-FeSi2/Si异质结,Fe膜厚度约238nm,退火后形成的β-FeSi2薄膜厚度约为720nm。利用XRD、SEM和红外光谱仪分别研究了β-FeSi2薄膜的晶体结构、表面形貌和光学性质。霍尔效应结果表明,制备的β-FeSi2薄膜为n型导电,载流子浓度为9.51×1015cm-3,电子迁移率为380cm2/(V.s)。
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| 关 键 词： | 磁控溅射 β-FeSi2/Si异质结 输运性质 |
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