| 界面改善对P(VDF-co-CTFE)/BST复合材料介电和储能性能影响 |
| |
| 作者姓名： | 夏卫民 张志成 陈源清 曹从军 |
| |
| 作者单位： | 1. 西安理工大学印刷包装工程学院,陕西西安710048 西安交通大学电子陶瓷与器件教育部重点实验室,陕西西安710049
2. 西安交通大学电子陶瓷与器件教育部重点实验室,陕西西安,710049
3. 西安理工大学印刷包装工程学院,陕西西安,710048 |
| |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目，国家自然科学基金资助项目 |
| |
| 摘 要： | 用溶胶-凝胶法合成了钛酸锶钡(BaSrTiO3,BST)陶瓷,获得了粒径为50nm左右的高活性纳米陶瓷粉体,并通过硅烷偶联剂(KH550)进行了表面处理。将表面处理后的BST粉末与含氟铁电聚合物聚偏氟乙烯-三氟氯乙烯(P(VDF-co-CTFE))采用0-3方式进行了复合。然后通过溶液流延法在石英片上制备了P(VDF-co-CTFE)/BaSrTiO3复合材料厚膜,并进行了淬火处理。采用XRD、TEM、TGA和SEM表征了纳米陶瓷和复合材料形貌。结果表明KH550可以有效地作用于高介电常数BST陶瓷颗粒表面。KH550处理后的复合材料具有更大的介电常数(εr>33),更高耐电场强度(Eb>270MV/m)和较低的损耗。界面处理同时可以有效提高复合材料的饱和极化强度(Ps),降低剩余极化强度(Pr),使其储能密度(Ue)达6.8J/cm3。总体结果表明,两相界面改善后的聚合物/陶瓷复合材料在高储能密度领域中具有广泛的应用前景。
|
| 关 键 词： | 复合材料界面 聚偏氟乙烯-三氟氯乙烯 钛酸锶钡 储能 |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
