半绝缘砷化镓及其MESFET器件光敏特性研究

用波长为７００～３５００ｍｍ的光电流测试系统研究了ＳＩ－ＧａＡｓ村谗及其ＭＥＳＦＥＴ器件中的深能级。结果显示在ＳＩ－ＧａＡｓ衬底及其ＭＥＳＦＥＴ器件中存在着相似的深能级，衬底的深能级影响着器件的光敏等性能。还讨论了如何减少器的光敏现象的方法。