| 超高频多晶硅发射极晶体管的研究 |
| |
| 引用本文： | 黄英 张安康. 超高频多晶硅发射极晶体管的研究[J]. 电子器件, 1996, 19(4): 239-251 |
| |
| 作者姓名： | 黄英 张安康 |
| |
| 作者单位： | Wuxi Branch Campus of Southeast University，Wuxi 214061 |
| |
| 摘 要： | 本文描述了一种实现亚１００ｎｍ基区宽度的晶体管结构。加工工艺类似ＢＳＡ（硼硅玻璃自对准）技术，可实现亚１００ｎｍ的基区结深，还可解决自对准器件在横向和纵向按比例缩小时所遇到的困难。与离子注入工艺相比，这种工艺可轻易地解决诸如高剂量离子注入所产生的下列问题：二次沟道效应对基区结深减小的限制及晶格损伤。晶体管采用了多晶硅发射极，ＲＴＡ（快速热退火）用于形成晶体管的单晶发射区，为提高多晶发射区的杂质浓度
|
| 关 键 词： | 多晶硅发射极 双极晶体管 |
A Study on Ultrahigh Frequency Polysilicon Emitter Bipolar Transistors |
| |
| Huang ying Zhang Ankang. A Study on Ultrahigh Frequency Polysilicon Emitter Bipolar Transistors[J]. Journal of Electron Devices, 1996, 19(4): 239-251 |
| |
| Authors: | Huang ying Zhang Ankang |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | polysilicon emifter BSA(BSG self-aligned) transistor |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
