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Ka波段高效率GaAs功率放大器MMIC
引用本文:杜鹏搏,张务永,孙希国,崔玉兴,高学邦,付兴昌,吴洪江,蔡树军. Ka波段高效率GaAs功率放大器MMIC[J]. 半导体技术, 2013, 0(2): 97-100
作者姓名:杜鹏搏  张务永  孙希国  崔玉兴  高学邦  付兴昌  吴洪江  蔡树军
作者单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
摘    要:采用GaAs PHEMT工艺,研究了PHEMT器件材料结构和大信号建模,分析了如何提高电路效率,并利用ADS软件对电路进行了原理图与版图优化设计,成功研制了高效率Ka波段GaAs功率放大器MMIC。电路采用三级级联放大,各级选取合适的总栅宽,使用Wilkinson功率分配/合成网络,采用阻性网络消除奇模振荡,输入输出均匹配至50Ω。在36~40 GHz频带内测试,测试结果表明:饱和输出功率大于2 W,功率增益大于17 dB,功率附加效率大于20%,频带内最高效率高达25%,芯片尺寸3.7 mm×3.2 mm。

关 键 词:砷化镓  Ka波段  单片微波集成电路  功率放大器  高效率

Ka-Band High Efficiency GaAs Power Amplifier MMIC
Du Pengbo,Zhang Wuyong,Sun Xiguo,Cui Yuxing,Gao Xuebang,Fu Xingchang,Wu Hongjiang,Cai Shujun. Ka-Band High Efficiency GaAs Power Amplifier MMIC[J]. Semiconductor Technology, 2013, 0(2): 97-100
Authors:Du Pengbo  Zhang Wuyong  Sun Xiguo  Cui Yuxing  Gao Xuebang  Fu Xingchang  Wu Hongjiang  Cai Shujun
Affiliation:(The 13th Research Institute,CETC,Shijiazhuang 050051,China)
Abstract:
Keywords:
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