| 直流和脉冲工作的VDMOS可靠性试验 |
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| 引用本文： | 单尼娜,吕长志,马卫东,李志国,郭春生. 直流和脉冲工作的VDMOS可靠性试验[J]. 半导体技术, 2010, 35(2): 172-175. DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.02.019 |
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| 作者姓名： | 单尼娜 吕长志 马卫东 李志国 郭春生 |
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| 作者单位： | 北京工业大学,电子信息与控制工程学院,可靠性研究室,北京,100124;北京工业大学,电子信息与控制工程学院,可靠性研究室,北京,100124;北京工业大学,电子信息与控制工程学院,可靠性研究室,北京,100124;北京工业大学,电子信息与控制工程学院,可靠性研究室,北京,100124;北京工业大学,电子信息与控制工程学院,可靠性研究室,北京,100124 |
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| 摘 要： | 基于恒定电应力温度斜坡法(CETRM),对工作于直流状态和脉冲状态下的VDMOS功率器件进行可靠性研究,考察了器件阈值电压、跨导以及导通电阻的退化情况,得出在两种工作状态下均是跨导为失效敏感参数。在直流工作状态下,VDMOS失效激活能为0.57~0.68 eV,寿命为7.97×105~1.15×107h;在脉冲工作状态下,VDMOS失效激活能为0.66~0.7 eV,寿命为4.3×105~4.6×106h。对跨导的退化机理进行了分析。
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| 关 键 词： | 纵向双扩散金属氧化物半导体 激活能 寿命 恒定电应力温度斜坡法 |
Reliability Testing of Power VDMOS Transistors in Switching State and Direct Current State |
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| Shan Nina,Lü Changzhi,Ma Weidong,Li Zhiguo,Guo Chunsheng. Reliability Testing of Power VDMOS Transistors in Switching State and Direct Current State[J]. Semiconductor Technology, 2010, 35(2): 172-175. DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.02.019 |
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| Authors: | Shan Nina Lü Changzhi Ma Weidong Li Zhiguo Guo Chunsheng |
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| Affiliation: | Reliability Lab.;College of Electronic Information and Control Engineering;Beijing University of Technology;Beijing 100124;China |
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| Abstract: | The reliability and failure mechanism of power device VDMOSFET in switching state and direct current state was evaluated based on the method of CETRM(constant electrical stress and temperature ramp stress method).The degradation situation of parameters such as VTH,gm,Ronwas studied.It shows that the gm is the failure sensitive parameter in both of the different states.The results show that the activation energy range of the VDMOS in direct current state is 0.57 to 0.68 eV and the expectation of life range i... |
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| Keywords: | VDMOS activation energy life CETRM |
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