烧结氮化硅陶瓷的显微结构

通过透射电子显微分析和能谱分析，深入仔细地研究了烧强Ｓｉ３Ｎ４－ＭｇＯ－ＣｅＯ２陶资的微观结构及其性能的关系，发现当烧结温度为１８００℃时，ＭｇＯ在烧结过程中自动析晶，烧结体的玻璃相只有铈硅酸盐而几乎没有ＭｇＯ当烧结温度高于１８５０℃时，容易产生异常长大的二次Ｓｉ３Ｎ４晶粒，从而使烧结Ｓｉ３Ｎ４陶瓷材料的性能下降，并观察了其中的亚晶粒，晶界及位错等微观结构。