| CMOS器件X 射线与γ射线辐照效应比较 |
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| 引用本文： | 何承发,巴维真,陈朝阳,王倩.CMOS器件X 射线与γ射线辐照效应比较[J].核技术,2001,24(10):807-811. |
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| 作者姓名： | 何承发 巴维真 陈朝阳 王倩 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院新疆物理研究所
2. 新疆大学物理系 |
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| 摘 要： | 介绍了低能X射线和γ射线的辐照剂量及器件阈电压漂移的测试方法。讨论了不同偏置条件和辐照方向对器件效应的影响。结果表明，对镀金Kovar合金封装的器件，在背向辐照的最劣辐照偏置下，X射线产生的阈电压漂移是^60Coγ射线的13.4倍。
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| 关 键 词： | CMOS器件 X射线 γ射线 剂量增强 辐照效应 辐照剂量 |
| 修稿时间： | 2000年1月3日 |
Comparison on effects of CMOS devices irradiated by gamma and X ray |
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| HE Chengfa,BA Weizhen,CHEN Zhaoyang.Comparison on effects of CMOS devices irradiated by gamma and X ray[J].Nuclear Techniques,2001,24(10):807-811. |
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| Authors: | HE Chengfa BA Weizhen CHEN Zhaoyang |
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