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负偏压对多弧离子镀TiN薄膜结构和沉积速率的影响
引用本文:潘玉鹏,黄美东,薛利,刘野,许世鹏.负偏压对多弧离子镀TiN薄膜结构和沉积速率的影响[J].真空,2013,50(1).
作者姓名:潘玉鹏  黄美东  薛利  刘野  许世鹏
作者单位:天津师范大学 物理与电子信息学院,天津,300387
基金项目:天津师范大学推进计划项目
摘    要:采用多弧离子镀设备在抛光后的高速钢表面沉积TiN薄膜,在其他参数不变的情况下,着重考察偏压对薄膜的沉积速率的影响.实验结果表明,随着负偏压的增加,沉积速率不断增加,但在负偏压达到一定值后,沉积速率又随偏压增大而减小.

关 键 词:多弧离子镀  TiN薄膜  偏压  沉积速率

Effects of negative bias on the structure and deposition rate of TiN films fabricated by arc ion plating
PAN Yu-peng , HUANG Mei-dong , XUE Li , LIU Ye , XU Shi-peng.Effects of negative bias on the structure and deposition rate of TiN films fabricated by arc ion plating[J].Vacuum,2013,50(1).
Authors:PAN Yu-peng  HUANG Mei-dong  XUE Li  LIU Ye  XU Shi-peng
Abstract:
Keywords:
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