| 不同方法合成掺杂ZnO粉体制备ZnO压敏电阻 |
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| 引用本文： | 刘桂香,徐光亮,罗庆平.不同方法合成掺杂ZnO粉体制备ZnO压敏电阻[J].化工进展,2007,26(2):234-237,241. |
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| 作者姓名： | 刘桂香 徐光亮 罗庆平 |
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| 作者单位： | 西南科技大学先进建筑材料四川省重点实验室,四川,绵阳,621010 |
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| 基金项目： | 国防科技应用基础研究基金
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四川省重点项目
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四川省应用基础研究计划 |
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| 摘 要： | 分别采用低温固相化学法和共沉淀法合成掺杂ZnO粉体,并用这两种粉体在不同温度下烧结制备了ZnO压敏电阻。借助XRD、SEM、TEM、BET等检测手段对粉体产物的性能进行了表征,采用XRD、SEM等手段对ZnO压敏陶瓷的物相、结构进行了分析,并对两种方法制备的粉体及压敏电阻的性能进行了比较研究。结果表明:采用低温固相化学法合成的粉体平均粒径为23.95 nm,用其制备ZnO压敏电阻的最佳烧结温度是1 080℃,其电位梯度为791.64 V/mm,非线性系数是24.36;采用共沉淀法合成的粉体平均粒径为188 nm,用其制备ZnO压敏电阻的最佳烧结温度是1 130℃,其电位梯度为330.99 V/mm、非线性系数是19.70,低温固相化学法制备的ZnO压敏电阻性能优于共沉淀法制备的ZnO压敏电阻。
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| 关 键 词： | 低温固相化学法 共沉淀法 掺杂ZnO粉体 压敏电阻 |
| 文章编号： | 1000-6613（2007）02-0234-05 |
| 收稿时间： | 2006-07-28 |
| 修稿时间： | 2006-07-282006-09-03 |
Preparation of doped ZnO nano-powders and ZnO varistors by different methods |
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| LIU Guixiang,XU Guangliang,LUO Qingping.Preparation of doped ZnO nano-powders and ZnO varistors by different methods[J].Chemical Industry and Engineering Progress,2007,26(2):234-237,241. |
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| Authors: | LIU Guixiang XU Guangliang LUO Qingping |
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| Affiliation: | Key Laboratory for Advanced Building Materials of Sichuan Province, Southwest University of Science and Technology, Mianyang 621010, Sichnan, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | solid-state reaction at a low temperature co-precipitation method oped ZnO powders varistor |
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