由MOS电容瞬态技术确定表面层内少子产生寿命的纵向分布

本文分析了现有确定表面层内少子产生寿命分布方法的缺点.根据MOS电容对阶跃电压和线性扫描电压瞬态响应物理过程,导出了两个关于少子寿命纵向分布的表达式.由此提出了两种确定少于产生寿命纵向分布的新方法.对一些样品进行了测量和计算.结果表明,与瞬态电流-电容法(I-C法)相比,瞬态电容法(C-t法)测试简单、精度较高;而饱和电容法(C_(St)法)计算方便.它们均可用来确定硅中少子体产生寿命在表面层内的纵向分布.