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| InGaAs/GaAs应变量子阱光伏谱激子峰展宽的研究 | |
| 作者姓名： | 吴正云 王小军 黄启圣 |
| 作者单位： | 厦门大学物理系 |
| 摘 要： | 实验得到不同温度下应变ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱的光伏谱，通过理论计算与实验结果的比较，对各谱峰进行了指认．本文着重考察各样品中１１Ｈ跃迁的激子谱峰的半宽随温度及阱宽的变化，讨论谱峰展宽机制中的声子关联、混晶组分起伏及界面不平整对线宽的影响． |
| 关 键 词： | 半导体材料 应变量子阱 光伏谱 外延生长 |
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