| 低压气相生长金刚石薄膜成核机理的研究 |
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| 引用本文： | 杨国伟. 低压气相生长金刚石薄膜成核机理的研究[J]. 微细加工技术, 1994, 0(2): 51-57 |
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| 作者姓名： | 杨国伟 |
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| 作者单位： | 湘潭大学物理系 |
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| 摘 要： | 本文论述了低压气相生长金刚石薄膜中活性原子团ＣＨ＿３和原子态氢在金刚石成核运动中的作用以及衬底材料性能对成核的影响，认为活性基ＣＨ＿３是生长金刚石的主要活性物质，它们在衬底表面的吸附、碰撞、聚集等构成了成核运动，原子氢在成核运动中的主要作用是参与ＣＨ＿３的脱氢反应和石墨相碳原子团的刻蚀反应，并且还有稳定ＣＨ＿３中ＳＰ￣３杂化轨道的作用。衬底材料性能对成核的影响在于晶格失配而导致的错配位错和晶格畸变所引起的界面势垒和晶核弹性能的增加。最后讨论了金刚石薄膜与衬底之间是否存在过渡层问题，认为过渡层不是金刚石唯一的成核区，它的存在与生长条件密切相关，并且解释了关于过渡层实验研究中遇到的相互矛盾的结论。
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| 关 键 词： | 金刚石薄膜；成核；晶体生长 |
THEORETICAL STUDY OF NUCLEATION MECHANISM IN DIAMOND THIN FILMS GROWTH BY LOW PRESSURE VAPOR PHASE |
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| Yang Guowei. THEORETICAL STUDY OF NUCLEATION MECHANISM IN DIAMOND THIN FILMS GROWTH BY LOW PRESSURE VAPOR PHASE[J]. Microfabrication Technology, 1994, 0(2): 51-57 |
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| Authors: | Yang Guowei |
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| Keywords: | diamond thin film nucleation crystal growth |
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