| FLASH MEMORY技术 |
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| 引用本文： | 卢廷勋,李正孝. FLASH MEMORY技术[J]. 微处理机, 1995, 0(3): 8-11 |
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| 作者姓名： | 卢廷勋 李正孝 |
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| 作者单位： | 电子工业部东北微电子研究所!沈阳110032 |
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| 摘 要： | 本文介绍了闪速存储器的结构特点和工艺技术，并与ＥＰＰＯＭ和ＥＥＰＲＯＭ电路进行了比较。
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| 关 键 词： | 闪速存储器 结构特点 工艺 存储器 |
Flash Memory Technology |
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| Lu Tingxun, Li Zhengxiao. Flash Memory Technology[J]. Microprocessors, 1995, 0(3): 8-11 |
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| Authors: | Lu Tingxun Li Zhengxiao |
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| Affiliation: | Lu Tingxun; Li Zhengxiao |
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| Abstract: | This paper introduces the FLASH MEMORY circuits technique and structure characteristic, also compared the circuits with that of EPROM and EEPROM. |
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| Keywords: | FLASH MEMORY structure characteristic process technique |
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