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| 非晶硅缓冲层在具有Al2O3门绝缘子的多晶SiGeTFT中的作用 | |
| 引用本文： | 王文,金中和.非晶硅缓冲层在具有Al2O3门绝缘子的多晶SiGeTFT中的作用[J].现代显示,1999(4):4-7. |
| 作者姓名： | 王文 金中和 |
| 摘 要： | ＳｉＧｅ合金具有较高的载流子迁移率与较低的结晶温度，比Ｓｉ更适合用作薄膜晶体管（ＴＦＴ）。最近，我们已证实，利用Ａｌ２Ｏ３作多晶ＳｉＧｅＴＦＴ的门绝缘子，可使界面得到显著改善。虽然已经证明，由Ｓｉ缓冲层的高温氧化形成的ＳｉＯ２可改善界面质量，但是还不清楚在ＳｉＧｅ有源层与Ａｌ２Ｏ３门电介质之间插入一α－Ｓｉ缓冲层能否进一步提高界面的质量。在本研究中，对于有、无α－Ｓｉ缓冲层的多晶ＳｉＧｅＴＦＴ的性 |
| 关 键 词： | 缓冲层 Al2O3门绝缘子 多晶SiGeTFT 薄膜晶体管 |
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