| β-FeSi2和β-Fe(C,Si)2薄膜的电子显微及X射线衍射研究 |
| |
| 引用本文： | 李晓娜,聂冬,董闯. β-FeSi2和β-Fe(C,Si)2薄膜的电子显微及X射线衍射研究[J]. 真空科学与技术学报, 2002, 22(5): 349-356 |
| |
| 作者姓名： | 李晓娜 聂冬 董闯 |
| |
| 作者单位： | 1. 三束国家重点联合实验室大连理工大学分部,大连理工大学材料工程系,大连,116023;中国科学院北京电子显微镜实验室,北京2724信箱,100080
2. 三束国家重点联合实验室大连理工大学分部,大连理工大学材料工程系,大连,116023 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金委资助 (No . 59872 0 0 7) |
| |
| 摘 要： | 本文利用X射线衍射和透射电子显微镜对离子注入合成的 β FeSi2 和 β Fe(C ,Si) 2 薄膜进行了研究。对掺杂C前后样品的对比研究表明 ,选择C作为掺杂元素 ,能够得到界面平直、厚度均一的高质量 β相薄膜 ,晶粒得到细化 ,β FeSi2 层稳定性提高 ,因此从微结构角度考虑 ,引入C离子对于提高 β FeSi2 薄膜的质量是很有益处的。进一步进行光学吸收表征 ,发现C离子的引入对 β层的Edg 值没有产生明显影响。所以综合来说C离子的引入有利于得到高质量的 β FeSi2 薄膜。用掠入射X射线衍射和Celref程序精确地测量薄膜的晶格常数 ,当C/Fe的剂量比为 0 5 %时 ,尽管C的原子半径比Si的小 ,β相晶格却膨胀了 ,这可能是由于间隙固溶的原因。进一步增加掺杂量到一定的程度时 ,单胞体积会缩小 ,这是由于形成了置换固溶体 ,碳置换了 β单胞中的部分硅
|
| 关 键 词： | βFeSi2 半导体薄膜 金属硅化物 离子注入 透射电子显微镜 |
| 文章编号： | 0253-9748(2002)05-0349-08 |
| 修稿时间： | 2002-02-25 |
Studies of β-FeSi2 and β-Fe(C,Si)2 Films by Transmission Electron Microscopy and X-ray Diffraction |
| |
| Li Xiaona ,,Nie Dong ,Dong Chuang .State Key Laboratory for Materials Modification by Laser,Ion and Electron Beams. Studies of β-FeSi2 and β-Fe(C,Si)2 Films by Transmission Electron Microscopy and X-ray Diffraction[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2002, 22(5): 349-356 |
| |
| Authors: | Li Xiaona Nie Dong Dong Chuang .State Key Laboratory for Materials Modification by Laser Ion Electron Beams |
| |
| Affiliation: | Li Xiaona 1,2,Nie Dong 1,Dong Chuang 1 1.State Key Laboratory for Materials Modification by Laser,Ion and Electron Beams,Department of Materials Engineering,Dalian University of Technology,Dalian 116024,China, 2.Beijing Laboratory of Electron |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | FeSi 2 Semiconductor film Metallic silicide Ion implantation TEM |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
