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| 掺锂非晶硅薄膜的电学性质 | |
| 引用本文： | 宋祥福,黄家明.掺锂非晶硅薄膜的电学性质[J].半导体技术,1989(4):52-54. |
| 作者姓名： | 宋祥福 黄家明 |
| 作者单位： | 复旦大学材料科学研究所 (宗祥福，黄家明)，复旦大学材料科学研究所(汪荣昌) |
| 摘 要： | 用硅烷的辉光放电分解伴随着锂蒸发来制备掺锂的非晶硅薄膜.测量了薄膜的直流电导率与温度以及与所加的测试电压的关系.发现在温度范围为350～500K和高场强(高于10~3V/cm)情况下掺锂薄膜存在离子电导现象. |
| 关 键 词： | 掺锂 非晶硅 薄膜 电学性质 |
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