| 真空微电子二极管及微位移传感器的研究 |
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| 引用本文： | 朱长纯 李毓民. 真空微电子二极管及微位移传感器的研究[J]. 光电子技术, 1993, 12(2): 40-45 |
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| 作者姓名： | 朱长纯 李毓民 |
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| 作者单位： | 西安交通大学 710049(朱长纯，王海笑，刘君华，关辉)，北京电子管厂 100016(李毓民) |
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| 摘 要： | 首次用电荷模拟法计算了真空微电子二极管及真空微电子微位移传感器的场致发射阴极与阳极间的电场分布,进而计算了真空微电子二极管的电流一电压特性和微位移传感器的电流——位移(即阴、阳极间距)的关系曲线。模拟了两种结构的场致发射阴极:圆锥形和劈形。并用测试精度可达4nm 的水槽法模拟实验对计算结果进行了验证,理论计算与实验结果符合地很好。
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| 关 键 词： | 电荷模拟法 微电子器件 位置传感器 |
Study of Microvacuum Diode and Displacement Transducer |
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| Zhu Changchun Wang Haixiao Liu Junhua Guan Hui Li Uumin. Study of Microvacuum Diode and Displacement Transducer[J]. Optoelectronic Technology, 1993, 12(2): 40-45 |
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| Authors: | Zhu Changchun Wang Haixiao Liu Junhua Guan Hui Li Uumin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | microvacuum displacement transducer charge simulation method calculations of field distribution microvacuum divice |
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