| 采用新型聚硅氮烷连接无压烧结SiC陶瓷 |
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| 引用本文： | 刘洪丽,田春英,钟文武,李洪波. 采用新型聚硅氮烷连接无压烧结SiC陶瓷[J]. 热处理技术与装备, 2008, 29(1): 25-28 |
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| 作者姓名： | 刘洪丽 田春英 钟文武 李洪波 |
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| 作者单位： | 佳木斯大学材料科学与工程学院,黑龙江,佳木斯,154007;佳木斯大学材料科学与工程学院,黑龙江,佳木斯,154007;佳木斯大学材料科学与工程学院,黑龙江,佳木斯,154007;佳木斯大学材料科学与工程学院,黑龙江,佳木斯,154007 |
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| 基金项目： | 黑龙江省教育厅科学技术研究项目 , 黑龙江省高等学校骨干教师资助计划 , 黑龙江省教育厅研究生创新科研项目科学技术研究项目 |
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| 摘 要： | 采用新型陶瓷先驱体聚合物-含乙烯基聚硅氮烷(PSZ)连接无压烧结SiC陶瓷.研究了PSZ的裂解过程以及连接温度、浸渍/裂解增强处理、惰性填料对连接强度的影响,并对连接区域微观结构进行了分析.结果表明,在1200～1400℃温度范围内,PSZ的裂解产物发生了由非晶态向晶态的转变.随着连接温度的升高,连接强度先升高后降低;浸渍/裂解增强处理可较大幅度提高接头强度;另外加入适量的纳米SiC填料可有效提高连接强度.当连接温度为1300℃,纳米SiC填料(质量分数)为5%时,经三次增强处理的连接件接头剪切强度达33.5 MPa.微观结构分析显示,连接层厚度约为3～4 μm,连接层与母材之间界面接合良好.
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| 关 键 词： | 陶瓷连接 聚硅氮烷 纳米SiC填料 无压烧结碳化硅陶瓷 |
| 文章编号： | 1673-4971（2008）01-0025-04 |
| 收稿时间： | 2007-08-02 |
| 修稿时间： | 2007-08-02 |
Joining of Pressureless Sintering SiC Ceramic Using a Polysilazane |
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| LIU Hong-li,TIAN Chun-ying,ZHONG Wen-wu,LI Hong-bo. Joining of Pressureless Sintering SiC Ceramic Using a Polysilazane[J]. Heat Treatment Technology and Equipment, 2008, 29(1): 25-28 |
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| Authors: | LIU Hong-li TIAN Chun-ying ZHONG Wen-wu LI Hong-bo |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ceramic joining polysilazane nano-SiC filler pressureless sintering SiC ceramic |
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