| 中子辐照单晶硅与激光退火制备SOI结构的研究 |
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| 引用本文： | 王顺,李琼,林成鲁. 中子辐照单晶硅与激光退火制备SOI结构的研究[J]. 中国激光, 1988, 15(11): 701-703 |
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| 作者姓名： | 王顺 李琼 林成鲁 |
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| 作者单位： | 华东师范大学(王顺，李琼)，中国科学院上海冶金所离子束开放实验室(林成鲁) |
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| 摘 要： | SOI材料在制作高速、抗辐照电路、复合功能器件以及实现三维集成电路等方面有着重要的应用前景.实现SOI结构有多种途径:除蓝宝石外延(SOS)工艺外,还有多晶硅的激光或电子束熔化再结晶、石墨条加热再结晶和在单晶硅中大剂量深注入氧形成隔离层等方法.利用中子辐照使单晶硅损伤,得到了绝缘层衬底,然后以激光退火消除表面层损
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| 收稿时间： | 1987-06-22 |
Fabrication of SOI structure by means of laser annealed neutron-irradiated single crystal silicon |
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| Abstract: | A semiconductor on semiinsulator (SOI) structure was obtained in which the insulator substrate is neutron-irradiated silicon, then annealed with CW Ar+ or Q switched Nd; YAG laser, semiconductor layer was obtained and the implanted impurities in it was activated. The experimental results proved it to be an ideal material for developing SOI devices by low-temperature process. |
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