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| 中功率砷化镓场效应晶体管 | |
| 引用本文： | 学工.中功率砷化镓场效应晶体管[J].微纳电子技术,1975(11). |
| 作者姓名： | 学工 |
| 摘 要： | 据报导,美国无线电公司采用一层掺铬的高阻砷化镓外延缓冲层作为器件有源区与单晶衬底之间的本体生长衬底之间的隔离,制出了一种革新的中功率砷化镓场效应晶体管(肖特基场效应晶体管)。据称,一个单元的器件在9千兆赫下以1分贝增益压缩,得到了高达300毫瓦的输出功率,5.2分贝的线性增益以及30％的漏极效率。三个单元的器件,在4千兆赫下以1分贝的增益压缩,实现了665毫瓦的输出功率,8分贝的线性 |
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