| Si掺杂放电等离子合成Ti2AIC／Ti3AIC2材料及理论分析 |
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| 引用本文： | 王苹,梅炳初,闵新民,洪小林,周卫兵,严明.Si掺杂放电等离子合成Ti2AIC／Ti3AIC2材料及理论分析[J].中国有色金属学报,2007,17(4):511-517. |
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| 作者姓名： | 王苹 梅炳初 闵新民 洪小林 周卫兵 严明 |
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| 作者单位： | [1]武汉理工大学理学院,武汉430070 [2]武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉430070 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目（50572080） |
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| 摘 要： | 以Ti粉、Al粉、活性炭和Si粉为原料，采用放电等离子工艺分别以摩尔比为2．0Ti/1.1Al／1．0C、2．OTi/l．0Al／0．1Si/1.0C、2．0Til1.0Al／0．2Si／1．0C、2．0Ti／0、9Al／0．2Si／1．0（2和2．0Ti／1．0Al／0．3Si／1．0C，在1200℃合成了Ti2AlC／Ti3AlC2块体材料。通过合成试样的X射线衍射谱，确定了放电等离子合成试样的物相组成，并用扫描电镜结合能谱仪观察了合成试样的显微结构和微区成分。结果表明：以2．0Ti／1．1Al／1．0C为原料放电等离子合成了层状结构明显的Ti2AlC材料；掺Si后所有试样都由Ti2AlC、Ti3AlC2和Ti3SiC23种物相组成；当掺Si量逐渐增大，即Al与Si的量比减小时，试样中Ti3AlC2和Ti3SiC2的含量增加，而Ti2AlC的含量降低，同时颗粒得到细化。应用量子化学计算结果解释了掺Si后不利于Ti2AlC的生成，而有利于Ti3AlC2的生成机理，说明了掺Si后固溶体的产生过程。
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| 关 键 词： | 硅掺杂 放电等离子烧结 Ti2A1C／Ti3A1C2 理论分析 |
| 文章编号： | 1004-0609（2007）04-0511-07 |
| 收稿时间： | 2006-11-08 |
| 修稿时间： | 2007-01-10 |
Synthesis of Ti2AIC/Ti3AIC2 with Si doping by spark plasma sintering and theoretical analysis |
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| WANG Ping,MEI Bing-chu,MIN Xin-min,HONG Xiao-lin,ZHOU Wei-bing,YAN Ming.Synthesis of Ti2AIC/Ti3AIC2 with Si doping by spark plasma sintering and theoretical analysis[J].The Chinese Journal of Nonferrous Metals,2007,17(4):511-517. |
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| Authors: | WANG Ping MEI Bing-chu MIN Xin-min HONG Xiao-lin ZHOU Wei-bing YAN Ming |
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| Affiliation: | 1. School of Science, Wuhan University of Technology, Wuhan 430070, China; 2. State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing, Wuhan University of Technology, Wuhan 430070, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Si doping spark plasma sintering Ti2A1C/Ti3A1C2 theoretical analysis |
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