0.13微米CMOS双通道超宽带低噪声放大器设计 |
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引用本文: | 张弘,梁元.0.13微米CMOS双通道超宽带低噪声放大器设计[J].微电子学与计算机,2012,29(10):37-41,46. |
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作者姓名: | 张弘 梁元 |
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作者单位: | 西安电子科技大学微电子学院,陕西西安,710071 |
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基金项目: | 中央高校基本科研业务费(K50510250010) |
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摘 要: | 本文设计了一款超宽带低噪声放大器,并对设计流程进行分析仿真.该低噪放采用双通道结构,有效的输入阻抗匹配、平稳的增益和低噪声等性能可以同时实现.应用ADS工具TSMC 0.13μm CMOS工艺库的仿真结果表明,其最大功率增益为14.2dB,在8GHz频点的IIP3为-4dBm,输入、输出反射系数分别小于-10.2dB和-10.89dB,噪声指数单调下降到1.46dB,并且总功耗和带内最大增益摆幅较低.
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关 键 词: | CMOS射频集成电路 超宽带低噪声放大器 双通道 |
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