3—5和8—14μm外掺杂硅探测器

为促进3—5和8—14μm 波段的系统应用,希望有高性能的红外探测器阵列,以便将控测器和信息处理电路集成在同一衬底上。对8—14μm 波段,用 Al,Ga,Bi 和 Mg 作掺杂剂制作了在液氖温度下(27°K)工作的探测器。对3—5μm 波段,用 In,S,Tl 做掺杂剂制作了在液氮温度(78°K)下工作的探测器.给出了这些探测器的光谱特性和温度特性 Si:Al,Si:Ga 和 Si:Bi 探测器刭大约 30°K 具有背景限性能(～30°视场)。Si:In和 Si:S 探测器分别到大约60和75K 具有背景限性能(～30°视场).这些结果与背景限制和温度限制理论符合得很好.Si:Mg 探测器的性能受还未弄清的浅能级限制,而 Si:Tl 探测器目前受低的响应率限制。