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LSAT(111)衬底上ZnO单晶薄膜的分子束外延生长
引用本文:英敏菊,杜小龙,刘玉资,曾兆权,梅增霞,郑浩,袁洪涛,贾金锋,薛其坤,张泽.LSAT(111)衬底上ZnO单晶薄膜的分子束外延生长[J].半导体学报,2005,26(z1):82-86.
作者姓名:英敏菊  杜小龙  刘玉资  曾兆权  梅增霞  郑浩  袁洪涛  贾金锋  薛其坤  张泽
作者单位:中国科学院物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京,100080;北京工业大学,北京,100022
基金项目:国家自然科学基金 , 科技部科研项目 , 教育部留学回国人员科研启动基金
摘    要:利用射频等离子体辅助分子束外延技术,在LSAT(111)衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜.研究了衬底表面预处理及生长温度对ZnO外延膜的生长过程、外延取向关系以及表面形貌的影响.发现在较低温度下生长ZnO时,薄膜中容易形成30°旋转畴,而在较高温度下,可完全消除薄膜中的旋转畴,得到具有单一畴的ZnO单晶薄膜,讨论了旋转畴的起源以及生长温度对于消除旋转畴的作用.锐利的3×3 RHEED图像验证了ZnO薄膜具有O极性.

关 键 词:ZnO单晶薄膜  RF-MBE  LSAT(111)  旋转畴  外延取向
文章编号:0253-4177(2005)S0-0082-05
修稿时间:2004年9月10日

Growth of ZnO Thin Films on LSAT(111) Substrates by Radio Frequency Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
Ying Minju,Du Xiaolong,Liu Yuzi,Zeng Zhaoquan,Mei Zengxia,Zheng Hao,Yuan Hongtao,Jia Jinfeng,Xue Qikun,Zhang Ze.Growth of ZnO Thin Films on LSAT(111) Substrates by Radio Frequency Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(z1):82-86.
Authors:Ying Minju  Du Xiaolong  Liu Yuzi  Zeng Zhaoquan  Mei Zengxia  Zheng Hao  Yuan Hongtao  Jia Jinfeng  Xue Qikun  Zhang Ze
Abstract:
Keywords:
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