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| InGaAs/AlGaAs PM-HEMT的实验研制 | |
| 引用本文： | 陈效建,刘军.InGaAs/AlGaAs PM-HEMT的实验研制[J].固体电子学研究与进展,1991,11(1):78-78. |
| 作者姓名： | 陈效建 刘军 |
| 作者单位： | 南京电子器件研究所 210016 (陈效建，刘军，郑雪帆，王树珠)，南京电子器件研究所 210016(孙晓鹏) |
| 摘 要： | <正>高电子迁移率晶体管(HEMT)在近十年的发展中,已成为微波、毫米波及高速数字领域中最重要的新型半导体器件之一,并正进入实用化与商品化.HEMI的许多优异性能与器件内部异质结界面附近的二维电子气(2DEG)的性质(如高漂移速度、高电子浓度)有关,因而随着对新的异质结构材料中2DEG特性研究的深入,采用新的材料研制HEMT,已成为器件发展中的一个最重要的方向. |
| 关 键 词： | 晶体管 PM－HEMT 半导体器件 |
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