| X波段低温低噪声宽带放大器的研究 |
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| 引用本文： | 吴东升, 邓红斌,. X波段低温低噪声宽带放大器的研究[J]. 电子器件, 2007, 30(2): 469-471 |
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| 作者姓名： | 吴东升 邓红斌 |
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| 作者单位： | 安徽建筑工业学院,计算机与电子信息工程系,合肥,230022;中国科学院等离子体研究所,微波室,合肥,230031;合肥低温电子研究所,合肥,230043 |
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| 摘 要： | 阐述利用HEMT微波器件在低温下噪声显著降低的特性,研制X波段低温低噪声放大器的过程.分析了在低温下HEMT器件良好的噪声特性和微带线插损显著降低的特点.采用微波宽带匹配技术,设计并制作出宽带低温低噪声放大器.在液氮温区,其主要性能指标为:工作频率8～10GHz,增益＞26dB,噪声系数≤0.4dB.
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| 关 键 词： | 放大器 低噪声 低温 HEMT |
| 文章编号： | 1005-9490(2007)02-0469-03 |
| 修稿时间： | 2006-08-07 |
Research of a X-Band Low Noise Wideband Cryogenic Amplifier |
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| WU Dong-sheng,DENG Hong-bin. Research of a X-Band Low Noise Wideband Cryogenic Amplifier[J]. Journal of Electron Devices, 2007, 30(2): 469-471 |
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| Authors: | WU Dong-sheng DENG Hong-bin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | amplifier low noise cryogenic temperature HEMT(high electron mobility transistors) |
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