| 紫外线厚胶光刻技术研究及应用 |
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| 引用本文： | 李雯,谭智敏,薛昕,刘理天. 紫外线厚胶光刻技术研究及应用[J]. 微纳电子技术, 2003, 0(Z1) |
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| 作者姓名： | 李雯 谭智敏 薛昕 刘理天 |
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| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所 北京100084(李雯，谭智敏，薛昕)，清华大学微电子学研究所 北京100084(刘理天) |
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| 摘 要： | 紫外线厚胶光刻技术已广泛应用于 3D微机械结构的制作。本文选用AZ4 6 2 0和SU 8两种光刻厚胶 ,采用德国卡尔·休斯公司的MA 6双面对准光刻机 ,对紫外线光刻工艺条件进行了对比研究 ,结果表明 ,负性光刻胶SU 8的光敏性好 ,胶结构图形的侧墙较陡直 ,能够实现较大的深宽比 ,为复杂结构的三维微机械器件的制作提供了保证。
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| 关 键 词： | 紫外厚胶光刻 SU-8 AZ4620 3D MEMS |
Research and application of thick photoresist lithography using UV light |
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| LI Wen,TAN Zhi min,XUE Xin,LIU Li tian. Research and application of thick photoresist lithography using UV light[J]. Micronanoelectronic Technology, 2003, 0(Z1) |
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| Authors: | LI Wen TAN Zhi min XUE Xin LIU Li tian |
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| Abstract: | The ultraviolet photolithography process of thick photoresists, AZ4620 and SU 8, was studied and optimized. The microstructures with high aspect ratio and vertical sidewalls can be patterned by SU 8 photoresist. The applications of thick resist photolithography in MEMS fabrication process are also presented in this paper. |
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| Keywords: | UV lithography SU 8 AZ4620 3D MEMS |
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