| 4H-SiC npn BJT特性研究 |
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| 引用本文： | 龚欣,张进城,郝跃,张晓菊.4H-SiC npn BJT特性研究[J].电子学报,2003,31(Z1):2201-2204. |
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| 作者姓名： | 龚欣 张进城 郝跃 张晓菊 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子所, 陕西, 西安, 710071 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，2002CB311904， |
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| 摘 要： | 基于二维器件仿真软件Medici对4H-SiC双极型晶体管(BJT)进行了建模,包括能带模型、能带窄变模型、迁移率模型、产生复合模型和不完全电离模型,为4H-SiC的工艺与器件提供了设计平台.在此基础上对4H-SiC BJT器件进行了模拟研究.结果显示,器件基极电流IB=1μA/μm时发射极电流增益β为32.4,击穿电压BVCEO大于800V,截止频率fT接近1GHZ.
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| 关 键 词： | 4H-SiC 物理模型 双极型晶体管 |
| 文章编号： | 0372-2112(2003)12A-2201-04 |
| 收稿时间： | 2003-11-17 |
| 修稿时间： | 2003年11月17 |
Study on Characteristics of 4H-SiC npn BJT |
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| Gong Xin,ZHANG Jin-cheng,HAO Yue,ZHANG Xiao-ju.Study on Characteristics of 4H-SiC npn BJT[J].Acta Electronica Sinica,2003,31(Z1):2201-2204. |
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| Authors: | Gong Xin ZHANG Jin-cheng HAO Yue ZHANG Xiao-ju |
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| Affiliation: | The Institute of Microelectronics, Xidian University, Xi'an, Shaanxi 710071, China |
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| Abstract: | A model of 4H-SiC bipolar junction transistor (BJT) based on two- dimensional device simulator M edici is presented.The model, in which bandgap model, mobility model, generation and recombination model and incomplete ionization model are included, provides a design platform for 4H-SiC technologies and devices.The simulation results show that the common-emitter current gain is 32.4 while the base current IB equals to 1μA/μm with the breakdown voltage BVCEO more than 800V and the cut-off frequency fT close to 1GHz. |
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| Keywords: | 4H-SiC |
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