| TiSi2在微波低噪声SiGe HBT中的应用 |
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| 引用本文： | 张伟,王玉东,熊小义,许军,单一林,李希有,刘爱华,钱佩信.TiSi2在微波低噪声SiGe HBT中的应用[J].半导体技术,2006,31(1):40-43. |
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| 作者姓名： | 张伟 王玉东 熊小义 许军 单一林 李希有 刘爱华 钱佩信 |
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| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所,北京,100084 |
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| 基金项目： | 高比容电子铝箔的研究开发与应用项目 |
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| 摘 要： | 通过在SiGe HBT外基区和多晶发射极上制作TiSi2,从而使器件的高频噪声系数得到进一步降低.以PD=200mW的SiGe HBT为例,采用TiSi2工艺的噪声系数典型值为F=1.6dB@1.1GHz,明显低于无TiSi2工艺SiGe HBT的2.0dB@1.1GHz,且频率越高,二者差别越大.
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| 关 键 词： | 锗硅异质结双极晶体管 二硅化钛 微波 低噪声 微波 低噪声 SiGe HBT 应用 Microwave 差别 频率 典型值 工艺 噪声系数 器件 制作 多晶发射极 |
| 文章编号： | 1003-353X(2006)01-0040-04 |
| 收稿时间： | 2005-08-17 |
| 修稿时间： | 2005年8月17日 |
Application of TiSi2 in Microwave Low-Noise SiGe HBT |
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| ZHANG Wei,WANG Yu-dong,XIONG Xiao-yi,XU Jun,SHAN Yi-lin,LI Xi-you,LIU Ai-hua,QIAN Pei-xin.Application of TiSi2 in Microwave Low-Noise SiGe HBT[J].Semiconductor Technology,2006,31(1):40-43. |
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| Authors: | ZHANG Wei WANG Yu-dong XIONG Xiao-yi XU Jun SHAN Yi-lin LI Xi-you LIU Ai-hua QIAN Pei-xin |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics , Tsinghua University, Beijing 100084 , China |
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| Abstract: | SiGe HBT with TiSi2 on the extrinsic base and polysilicon emitter is introduced.Based on the experiment,it is proved that the high frequency noise figure of SiGe HBT with TiSi2 can be decreased effectively.For SiGe HBTs of PD=200mW,the typical noise figure of SiGe HBT with TiSi2 is 1.6 dB @1.1GHz,which is better than 2.0dB@1.1GHz of SiGe HBT without TiSi2.The experiments also show that the noise figure will be improved more obviously when SiGe HBT with TiSi2 is used in higher frequency. |
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| Keywords: | SiGe HBT TiSi2 microwave low noise |
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