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掺杂和热处理对纳米ZnO薄膜气敏特性影响
引用本文:李健,李海兰,田野,宋淑芳.掺杂和热处理对纳米ZnO薄膜气敏特性影响[J].传感器与微系统,2002,21(3):61-64.
作者姓名:李健  李海兰  田野  宋淑芳
作者单位:1. 内蒙古大学,物理系,内蒙古,呼和浩特,010021
2. 中国科学院,半导体研究所,北京,100083
摘    要:用真空蒸发法在玻璃和单晶硅片上制备纯Zn和掺杂Zn薄膜,然后在高于450℃条件下进行氧化、热处理(玻璃衬底)获得良好的纳米ZnO薄膜和掺杂ZnO薄膜。对单晶硅衬底上制备的纯Zn薄膜在高于800℃温度条件下进行液态源掺杂,获得掺B和P纳米ZnO薄膜。实验表明,掺杂和热处理使纳米ZnO薄膜的结构、导电性能得到改善,有效地降低了纳米ZnO薄膜的电阻,同时薄膜的气敏特性也得到较大的改善。

关 键 词:掺杂  热处理  纳米ZnO薄膜  气敏特性  氧化锌  半导体
文章编号:1000-9787(2002)03-0061-04
修稿时间:2001年10月17日

Influence on gas sensitive characteristics of nanon-ZnO thin films by doping and heat-treatment
LI Jian ,LI Hai lan ,TIAN Yie ,SONG Shu fang.Influence on gas sensitive characteristics of nanon-ZnO thin films by doping and heat-treatment[J].Transducer and Microsystem Technology,2002,21(3):61-64.
Authors:LI Jian  LI Hai lan  TIAN Yie  SONG Shu fang
Affiliation:LI Jian 1,LI Hai lan 1,TIAN Yie 1,SONG Shu fang 2
Abstract:
Keywords:nanon  ZnO thin film  gas sensitive characteristics  doping  heat  treatment
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