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多晶硅压力传感器热灵敏度漂移补偿技术
引用本文:罗秦川,张生才,姚素英,张为,曲宏伟. 多晶硅压力传感器热灵敏度漂移补偿技术[J]. 传感器与微系统, 2003, 22(5): 33-36
作者姓名:罗秦川  张生才  姚素英  张为  曲宏伟
作者单位:天津大学,电子信息工程学院,天津,300072
基金项目:国家自然科学基金资助项目(69876027)
摘    要:列举了几种多晶硅高温压力传感器的热灵敏度漂移补偿方法,并分别讨论了它们的原理及特点。对采用多晶硅热敏电阻器进行补偿的两种补偿方法进行了详细地分析和测试。实验表明,这两种补偿法更适用于多晶硅压力传感器。

关 键 词:压力传感器  多晶硅  热灵敏度漂移  灵敏系数  温度补偿
文章编号:1000-9787(2003)05-0033-04
修稿时间:2002-11-28

Compensation technology of thermal sensitivity shift of polysilicon pressure sensor
Abstract:Several compensation methods of thermal sensitivity shift of polysilicon pressure sensor are introduced,whose principles and characteristics are discussed.Two compensation methods with polysilicon thermal resistor are analyzed and tested particularly.The two compensation methods are more applicable to polysilicon pressure sensor through the experiments.
Keywords:pressure sensor  polysilicon  thermal sensitivity shift  gauge factor  temperature compensation
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