| IGBT极限功耗与热失效机理分析 |
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| 引用本文： | 汪波,罗毅飞,张烁,刘宾礼. IGBT极限功耗与热失效机理分析[J]. 电工技术学报, 2016, 0(12): 135-141. DOI: 10.3969/j.issn.1000-6753.2016.12.016 |
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| 作者姓名： | 汪波 罗毅飞 张烁 刘宾礼 |
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| 作者单位： | 1. 海军工程大学舰船综合电力技术国防科技重点实验室 武汉 430033;2. 武汉船舶通信研究所 武汉 430079 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)(2013CB035601)，国家自然科学基金重大项目(51490681) |
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| 摘 要： | 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的最大功耗是安全工作区的重要组成部分,与外部散热装置、内部热阻以及使用工况等有关,而器件手册给出的最大功耗是理想值,难以反映实际工况,若设计不当会造成IGBT热击穿失效。基于对IGBT功耗以及结-壳稳态热阻的温度特性分析,通过联立IGBT功耗的温度曲线和结-壳传热功耗的温度曲线进行热平衡分析,得到了结温的热稳定点、非稳定点以及临界点,由此得到了在临界点处的IGBT极限功耗,对在非稳定点时IGBT结温和功耗间的正反馈关系分析了IGBT热失效机理,最后进行了实验验证。
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| 关 键 词： | 绝缘栅双极型晶体管 极限功耗 热平衡 热失效 |
Analysis of Limiting Power Dissipation and Thermal Failure Mechanism |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Insulated gate bipolar transistor limiting power dissipation thermal balance thermal failure |
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