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降低漏电流的技术现状与未来展望——解决漏电流问题已刻不容缓
作者姓名:大石基之  进藤智则  堀切近史
作者单位:《日经电子》 记者(大石基之,堀切近史),《日经电子》 记者(进藤智则)
摘    要:采用65nm制造LSI时,电流将难以控制地大量泄漏出来,这种警告之声越来越高。问题的是,这些电流并不是LSI工作所需的电流,即使在LSI不工作的情况下,也会出现漏电流。LSI工作频率越高,这种漏电流就越大。随着半导体工艺的微细化发展,漏电流会更大(见图1)。

关 键 词:LSI 漏电流 半导体工艺 工作频率 技术现状 微细化 降低 泄漏
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