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| 6～18GHz四位数控移相器单片集成电路的设计 | |
| 引用本文： | 李芹,王志功,李伟,章晓丽.6～18GHz四位数控移相器单片集成电路的设计[J].固体电子学研究与进展,2008,28(2):208-211. |
| 作者姓名： | 李芹 王志功 李伟 章晓丽 |
| 作者单位： | 东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096 |
| 摘 要： | 设计了6～18GHz频带4bitGaAs数字移相器,着重介绍宽带移相单元的设计。该移相器通过ED02AH0.2μm PHEMT工艺实现。最终的单片数字移相器性能如下:在6～18GHz范围内,11.25°移相单元的移相波动小于±2°;22.5°移相单元的移相波动小于±2.5°;45°的移相波动为小于±5°;90°移相单元的移相波动小于±5°。所有状态的移相平坦度小于20°,移相均方差<7°,插入损耗<13dB,两端口所有态的回波损耗<-10dB(典型值)。 |
| 关 键 词： | 反射型移相器 兰格 微波单片集成电路 |
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