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高度边带陡峭的半集总LTCC滤波器设计北大核心CSCD
引用本文:刘毅戴永胜.高度边带陡峭的半集总LTCC滤波器设计北大核心CSCD[J].固体电子学研究与进展,2016(3):222-224 233.
作者姓名:刘毅戴永胜
作者单位:1.南京理工大学电子工程与光电技术学院210094;
基金项目:国家重点基础研究发展"973"计划资助项目(2009CB320201);国家国防重点实验室基金资助项目(9140C1402021102)
摘    要:基于LTCC技术设计一款高度边带陡峭的带通滤波器。为了便于生产加工,选用半集总结构,采用LTCC技术保证了此款带通滤波器的小型化。通过交叉耦合插入零点的方式提高边带陡峭度,为了满足高度边带陡峭的特性要求,选择上下层模式,级联两个一致的带通滤波器。电路仿真与电磁场三维仿真结果均优于设计指标。此款带通滤波器中心频率在1 237.5MHz,带宽575MHz,100~480MHz频率上的衰减均优于40dB,1 900~3 050 MHz频率上的衰减均优于30dB,尺寸仅为4.5mm×3.2mm×2.5mm。

关 键 词:带通滤波器  高度边带陡峭  低温共烧陶瓷  半集总结构  上下结构
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