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| Zn-,Be-掺杂以及Zn-H-,Be-H-共掺杂的GaAs0.5P0.5材料的第一性原理研究 | |
| 作者姓名： | 何思译 杨明珠 |
| 作者单位： | 南京信息工程大学物理与光电工程学院,南京210044 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;江苏省自然科学基金青年项目 |
| 摘 要： | 基于第一性原理计算得到了 Zn-,Be-掺杂以及Zn-H-,Be-H-共掺杂的GaAs0.5P0.5材料的形成能、原子结构、能带结构、态密度以及复折射率.结果表明Zn原子更容易作为代位式掺杂原子存在,而Be原子更容易表现为间隙式掺杂原子.代位式的Be和Zn原子都作为受主杂质存在,使GaAs0.5P0.5材料呈现p型导电... |
| 关 键 词： | 第一性原理 GaAs0.5P0.5材料 掺杂与共掺杂 能带结构 复折射率 |
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