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自聚焦棒外腔单频半导体激光器
引用本文:张建平,陶尚平.自聚焦棒外腔单频半导体激光器[J].中国激光,1988,15(11):641-647.
作者姓名:张建平  陶尚平
作者单位:北京邮电学院 (张建平),北京邮电学院(陶尚平)
摘    要:本文提出了用振幅耦合因子描述激光器谐振腔与自聚焦棒光波导结构的差异及耦合腔的衍射损耗;讨论了自聚焦棒相对激光器作微小偏移对振幅耦合因子的影响.对自聚焦棒外腔半导体激光器的选模理论进行了实验验证.实现了单纵模运转,其边模抑制比大于35dB,线宽小于21MHz,最大的波长调谐范围为11nm.

收稿时间:1987/6/4

Asingle frequency semiconductor laser with graded-index-rod external cavity
Abstract:The amplitude coupling factor is suggested to describe the difference and diffraction loss of the coupling cavity, the influence on amplitude coupling factor caused by GBINBOD’s slight deviation is discussed. In our experiment single-longitudinal-mode operation has been obtained. The mainside mode ratio is greater than 35 dB, the line width less than 21 MHz, and the maximum wavelength tuning range is about 11 nm.
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