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| 不掺杂半绝缘GaAs的补偿机制 | |
| 作者姓名： | 周炳林 吴征 陈正秀 胡冰华 |
| 作者单位： | 中国科学院上海治金研究所，中国科学院上海治金研究所，中国科学院上海治金研究所，中国科学院上海治金研究所，中国科学院上海技术物理研究所红外物理开放研究实验室 |
| 摘 要： | 用红外局域模方法测定了8个不同的不掺杂半绝缘GaAs样品的含碳(C_(As))量,发现碳浓度均小于5.20×10~(14)cm~3。由1.1μm红外吸收测量和400K霍尔系数测量推算出样品的净受主浓度N_A-No,结果表明所有样品的净受主浓度均大于碳浓度,对于切自晶体下半部的样品,差别可达一个数量级。因此,这些受主必定是碳以外的其他杂质缺陷造成的,其中硼(B_(As))可能是主要因素。 |
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