| 利用金属过渡层低温键合硅晶片 |
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| 引用本文： | 张小英,陈松岩,赖虹凯,李成,余金中. 利用金属过渡层低温键合硅晶片[J]. 半导体学报, 2007, 28(2): 213-216 |
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| 作者姓名： | 张小英 陈松岩 赖虹凯 李成 余金中 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理系 半导体光子学研究中心,厦门 361005;厦门大学物理系 半导体光子学研究中心,厦门 361005;厦门大学物理系 半导体光子学研究中心,厦门 361005;厦门大学物理系 半导体光子学研究中心,厦门 361005;厦门大学物理系 半导体光子学研究中心,厦门 361005;中国科学院半导体研究所 集成光电子国家重点实验室，北京 100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 福建省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 在Si/Si之间采用Ti/Au金属过渡层,实现了Si/Si低温键合,键合温度可低至414 ℃.采用拉伸强度测试对Si/Si键合结构的界面特性进行测试,结果表明,键合强度高于1.27MPa;I-V测试表明,Si/Ti/Au/Ti/Si键合界面基本为欧姆接触;X射线光电子能谱(XPS)测试结果进一步表明,界面主要为Si-Au共晶合金.不同温度的变温退火实验表明,键合温度越高,键合强度越大,且渐变退火有利于提高键合强度.
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| 关 键 词： | 硅片键合 界面特性 金属过渡层 键合机理 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)02-0213-04 |
| 收稿时间： | 2006-07-07 |
| 修稿时间： | 2006-11-07 |
Low-Temperature Wafer-to-Wafer Bonding Using Intermediate Metals |
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| Zhang Xiaoying,Chen Songyan,Lai Hongkai,Li Cheng and Yu Jinzhong. Low-Temperature Wafer-to-Wafer Bonding Using Intermediate Metals[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(2): 213-216 |
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| Authors: | Zhang Xiaoying Chen Songyan Lai Hongkai Li Cheng Yu Jinzhong |
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| Affiliation: | Department of Physics,Semiconductor Photonics Research Center,Xiamen University,Xiamen 361005,China;Department of Physics,Semiconductor Photonics Research Center,Xiamen University,Xiamen 361005,China;Department of Physics,Semiconductor Photonics Research Center,Xiamen University,Xiamen 361005,China;Department of Physics,Semiconductor Photonics Research Center,Xiamen University,Xiamen 361005,China;Department of Physics,Semiconductor Photonics Research Center,Xiamen University,Xiamen 361005,China;State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | wafer bonding interface characteristic intermediate metals bonding mechanism |
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