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基片上薄膜生长过程的计算机模拟
引用本文:刘昌辉,何华辉. 基片上薄膜生长过程的计算机模拟[J]. 功能材料, 2004, 35(Z1): 3010-3014
作者姓名:刘昌辉  何华辉
作者单位:华中科技大学,电子科学与技术系,武汉,430074
摘    要:根据薄膜的成核统计理论,考虑吸附粒子的碰撞、迁移、蒸发等因素,针对薄膜单层和多层核生长类型的生长,用计算机进行仿真模拟.同时研究了几种因素对粒子沉积成膜的影响.根据计算机模拟情况,得出了粒子百分变化与成团粒子百分变化关系、生长过程对粒子沉积成膜的影响.论证了按成核理论下的随机统计规律生成的多层粒子膜,其厚度方面的不均匀性与实际是一致的.并给出了计算机模拟研究薄膜微观生长过程的立体图象.

关 键 词:薄膜生长  沉积  计算机模拟
文章编号:1001-9731(2004)增刊-3010-05
修稿时间:2004-03-02

Computer simulation of growth for thin film on substrate
LIU Chang-hui,HE Hua-hui. Computer simulation of growth for thin film on substrate[J]. Journal of Functional Materials, 2004, 35(Z1): 3010-3014
Authors:LIU Chang-hui  HE Hua-hui
Abstract:
Keywords:
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