18GHz 100mW GaAs MESFET和Ku波段100mW FET放大器 |
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引用本文: | 朱文斌,朱蓓德.18GHz 100mW GaAs MESFET和Ku波段100mW FET放大器[J].固体电子学研究与进展,1988(1). |
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作者姓名: | 朱文斌 朱蓓德 |
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作者单位: | 南京电子器件研究所
(朱文斌),南京电子器件研究所(朱蓓德) |
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摘 要: | <正> 南京电子器件研究所已于1987年研制定型了一种WC67型Ku波段砷化镓功率场效应晶体管。器件采用C-403型管壳封装,在16~18GHz下,1分贝增益压缩点的输出功率P_(1dB)大于100mW,增益G_(1dB)为4~5dB,可通用于S,C,X和Ku波段作线性功率放大。 由于采用所内自制的砷化镓材料,引入了先进的中紫外光刻技术进行亚微米的精细加工,并融合了台面隔离、空气桥互连等结构和工艺方法,器件制作比较简便,易于实现批量生产。 WC67型砷化镓场效应管在14.5GHz下测量,可得到P_(1dB)>200mW,G_(1dB)>7.5dB,已和日本电气公司的Ku波段产品NE900175相当。
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