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一种ESD保护结构的集总参数模拟方法
引用本文:邱国良,李瑞伟,曾莹. 一种ESD保护结构的集总参数模拟方法[J]. 微电子学, 2003, 33(6): 545-549
作者姓名:邱国良  李瑞伟  曾莹
作者单位:清华大学,微电子学研究所,北京,100084
摘    要:文章提出了一种通过集总参数电路对ESD保护结构进行模拟的方法。利用HSPICE电路模拟软件,对ESD保护结构进行了集总参数模拟,获得了保护结构在ESD事件中的功率和温度分布。

关 键 词:ESD 保护结构 集总参数 功率分布 温度分布 HSPICE CMOS集成电路
文章编号:1004-3365(2003)06-0545-05
修稿时间:2002-11-11

A Simulation Method for ESD Protection Structure
QIU Guo-liang,LI Rui-wei,ZENG Ying. A Simulation Method for ESD Protection Structure[J]. Microelectronics, 2003, 33(6): 545-549
Authors:QIU Guo-liang  LI Rui-wei  ZENG Ying
Abstract:A simulation method for ESD protection structure is presented in the paper by utilizing lumped-parameter circuit. Both the power and temperature distributions of an ESD protection structure during an ESD event are obtained using HSPICE.
Keywords:ESD  Protection structure  Lumped parameter  Power distribution  Temperature distribution
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