| 干法氧化制备SiGe弛豫缓冲层及其表征 |
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| 引用本文： | 蔡坤煌,张永,李成,赖虹凯,陈松岩.干法氧化制备SiGe弛豫缓冲层及其表征[J].半导体学报,2007,28(12):1937-1940. |
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| 作者姓名： | 蔡坤煌 张永 李成 赖虹凯 陈松岩 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理系 半导体光子学研究中心，厦门 361005;厦门大学物理系 半导体光子学研究中心，厦门 361005;厦门大学物理系 半导体光子学研究中心，厦门 361005;厦门大学物理系 半导体光子学研究中心，厦门 361005;厦门大学物理系 半导体光子学研究中心，厦门 361005 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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福建省科技计划
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教育部留学回国人员科研启动基金 |
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| 摘 要： | SiGe弛豫缓冲层是高性能Si基光电子与微电子器件集成的理想平台.通过1000℃干法氧化组分均匀的应变Si0.88Ge0.12层,在Si衬底上制备了表面Ge组分大于0.3,弛豫度大于95%,位错密度小于1.2×105cm-2的Ge组分渐变SiGe弛豫缓冲层.通过对不同氧化时间的样品的表征,分析了氧化过程中SiGe应变弛豫的主要机制.
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| 关 键 词： | 氧化 锗硅弛豫缓冲层 位错 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)12-1937-04 |
| 收稿时间： | 6/5/2007 4:05:23 PM |
| 修稿时间： | 7/11/2007 3:19:23 PM |
Preparation and Characterization of a SiGe Buffer Layer by Dry Oxidation |
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| Cai Kunhuang,Zhang Yong,Li Cheng,Lai Hongkai and Chen Songyan.Preparation and Characterization of a SiGe Buffer Layer by Dry Oxidation[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(12):1937-1940. |
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| Authors: | Cai Kunhuang Zhang Yong Li Cheng Lai Hongkai and Chen Songyan |
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| Affiliation: | Semiconductor Photonics Research Center,Department of Physics,Xiamen University,Xiamen 361005,China;Semiconductor Photonics Research Center,Department of Physics,Xiamen University,Xiamen 361005,China;Semiconductor Photonics Research Center,Department of Physics,Xiamen University,Xiamen 361005,China;Semiconductor Photonics Research Center,Department of Physics,Xiamen University,Xiamen 361005,China;Semiconductor Photonics Research Center,Department of Physics,Xiamen University,Xiamen 361005,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | oxidation SiGe buffer layer dislocation |
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