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| 4096位静态 MOS 唯读存储器 | |
| 引用本文： | 科兵.4096位静态 MOS 唯读存储器[J].微纳电子技术,1972(1). |
| 作者姓名： | 科兵 |
| 摘 要： | 美帝得克萨斯仪器公司声称已制成4096位的静态 MOS 唯读存储器,它可组成512字×8位或1024字×4位存储器。存储器型号为 TMS4400,采用塑料双侧直插式封装和陶瓷双侧直插式封装。TMS4400可用作检查图表、代码转换器、微程序设计,以及进行随机逻辑。存取时间少于1微秒。此唯读存储器可在显示、计算机终端、计算器和计算机等设备中 |
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